儀器簡介：

功能特點：SEM主要用于固態樣品表面形貌的二次電子像、背散射電子像觀察及圖像處理。它既可以觀察和檢測非均相有機材料、無機材料及在微米、納米級樣品的表面特征，配備的EDS也可以支持點、線及面上的元素掃描，能準確分析樣品的元素分布。。

優勢：SU8220冷場掃描電鏡采用全新設計的冷場發射電子槍大幅提高了探針電流，并極大增強了電流的穩定性。在低加速電壓下，可長時間連續實現高分辨觀察和分析功能。具備超高真空發射槍和樣品室，將樣品污染降至最低，大幅度提高成像分辨率。

主要技術參數：

1.二次電子分辨率：0.8 nm (加速電壓15 kV，工作距離4 mm)；1.1 nm (著陸電壓1 kV，工作距離1.5 mm)(減速模式)。

2.放大倍率：低倍模式 20 – 2 k；高倍模式 100 – 1000 k。

3.冷場發射電子槍加速電壓：0.5 - 30 kV；電子槍著陸電壓: 0.01 - 2 kV。

4.能譜儀探測器：布魯克硅漂移（SDD）電制冷探測器，超薄窗設計，30 mm2有效面積；能量分辨率(100 kcps)≤ 129 eV (Mn-Ka)。

應用領域：

金屬、陶瓷、礦物、半導體等材料的顯微形貌、晶體結構和相組織的觀察與分析。各種材料微區化學成分的定性和半定量檢測。